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MMBF4392LT1G中文资料

MMBF4392LT1G图片

MMBF4392LT1G外观图

  • 大小:82.1KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, JFET, N, 30V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:25mA to 75mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:5V; Power Dissipation Pd:225mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacitance Ciss Max:14pF; Current Idss Max:150mA; Current Idss Min:50mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On State Resistance Max:60ohm; Package / Case:SOT-23; SMD Marking:6K; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vgs Off Min:-2V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:JFET(结点场效应
  • 系列:-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):25mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大:-
  • FET 型:N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:2V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:14pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(开):60 欧姆
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装:带卷 (TR)
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大:225mW
  • 其它名称:MMBF4392LT1GOSMMBF4392LT1GOS-NDMMBF4392LT1GOSTR

MMBF4392LT1G供应商

更新时间:2023-01-28 17:18:51
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